NUP6101DMR2
12
10
1
0.7
0.5
8
6
4
2
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
PULSE WIDTH
10 ms
1 ms
100 μ s
0
0
5
10
15
20
25
30
0.01
0.1 0.2
0.5
1
10 μ s
2 5 10
20
50 100
I PP , PEAK PULSE CURRENT (A)
Figure 3. Clamping Voltage versus
Peak Pulse Current
8
7
6
5
4
3
2
1
SERIES 1
D, DUTY CYCLE (%)
Figure 4. Typical Derating Factor
for Duty Cycle
0
? 100
? 50
0
50
100
150
200
t, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. Typical Leakage Current
versus Temperature
http://onsemi.com
3
相关PDF资料
NUP8010MNT1G IC TVS ARRAY LO CAP DFN8
NWE115DHHN-T921 CONN PCI EXPRESS 230POS VERT PCB
NWE82DHRN-T941 CONN PCI EXPRESS 164POS VERT PCB
NX1255GB-4.194304MHZ CRYSTAL 4.194304 MHZ 12PF SMD
NX1612AA-26MHZ STD-CSI-1 CRYSTAL 26.000 MHZ 8 PF SMD
NX1612AA-26MHZ STD-CSI-3 CRYSTAL 26.000 MHZ 8 PF SMD
NX2520SA-16MHZ-STD-CSW-4 CRYSTAL 16.000 MHZ 8 PF SMD
NX2520SA-16MHZ-STD-CSW-5 CRYSTAL 16.000 MHZ 8 PF SMD
相关代理商/技术参数
NUP6101DMR2/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Unidirectional TVS Array for High-Speed Data Line Protection
NUP8010MN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Array
NUP8010MNT1G 功能描述:IC TVS ARRAY LO CAP DFN8 RoHS:是 类别:过电压,电流,温度装置 >> TVS - 二极管 系列:- 标准包装:1,800 系列:TransZorb® 电压 - 反向隔离(标准值):28V 电压 - 击穿:31.1V 功率(瓦特):400W 电极标记:双向 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC,SMA 供应商设备封装:DO-214AC(SMA) 包装:带卷 (TR) 其它名称:SMAJ28CA-E3/61-NDSMAJ28CA-E3/61GITR
NUP8011MU 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Array
NUP8011MUTAG 功能描述:TVS二极管阵列 LOW CAP OCTAL TVS ARRAY RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
NUP8020X6 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:5−Line Transient Voltage Suppressor Array
NUP8020X6_07 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:5−Line Transient Voltage Suppressor Array
NUP8020X6T1G 功能描述:TVS二极管阵列 5 LN TRANSIENT VLTG SUPRSSR ARRAY RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C